onsemi TIP3055G THT, NPN Transistor 60 V dc / 15 A 1 MHz, TO-247 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8099
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP3055G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert. Die TIP3055 (NPN) und TIP2955 (PNP) sind ergänzende Geräte.
DC-Stromverstärkung hFE = 20-70 @ IC hFE = 4,0 Adc
Spannung für Collector-Emitter-Sättigung
VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC
VCE(sat) = 4,0 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich
Spannung für Collector-Emitter-Sättigung
VCE(sat) = 1,1 Vdc (max.) bei IC
VCE(sat) = 4,0 Adc
Ausgezeichneter sicherer Arbeitsbereich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 15 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V dc |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 90 W |
| Gleichstromverstärkung min. | 20 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V dc |
| Basis-Emitter Spannung max. | 7 V dc |
| Arbeitsfrequenz max. | 1 MHz |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 15.2 x 4.9 x 20.35mm |