onsemi NJV4030PT1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-8159
- Herst. Teile-Nr.:
- NJV4030PT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Leistungstransistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung eine Rolle spielt.
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe DC-Stromverstärkung
High-Current-Gain Bandwidth Produkt
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Vorteile
Minimale Verlustleistung
Sehr niedrige Stromanforderungen
Ideal für Hochfrequenz-Designs
Endprodukte
Akkuladegeräte
Tragbare Geräte
Computerprodukte
Anwendungen
Spannungsregelung
Energieverwaltung für tragbare Geräte
Schaltregler
Induktiver Lasttreiber
Hohe DC-Stromverstärkung
High-Current-Gain Bandwidth Produkt
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Vorteile
Minimale Verlustleistung
Sehr niedrige Stromanforderungen
Ideal für Hochfrequenz-Designs
Endprodukte
Akkuladegeräte
Tragbare Geräte
Computerprodukte
Anwendungen
Spannungsregelung
Energieverwaltung für tragbare Geräte
Schaltregler
Induktiver Lasttreiber
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | –40 V |
| Gehäusegröße | SOT-223 (SC-73) |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 2 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 6 V dc |
| Pinanzahl | 3 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 6.7 x 3.7 x 1.65mm |
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