onsemi FDG6321C SMD Digitaler Transistor Dual, SC-70 6-Pin

Diese zweifachen N- und P-Kanal-Transistoren mit Logikpegelverstärkung im Feldmodus werden mit einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell darauf zugeschnitten, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Dieses Gerät wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für bipolare digitale Transistoren und Kleinsignal-MOSFETS entwickelt. Da Bias-Widerstände nicht benötigt werden, kann dieser zweifache digitale FET mehrere verschiedene digitale Transistoren mit unterschiedlichen Bias-Widerstandswerten ersetzen.

N-Ch
0,50 A, 25 V
RDS(ON) = 0,45 Ω @ VGS= 4,5 V
RDS(ON) = 0,60 Ω @ VGS= 2,7 V
P-Ch
-0,41 A, -25 V
RDS(ON) = 1,1 Ω @ VGS= -4,5 V
RDS(ON) = 1,5 Ω @ VGS= -2,7 V
Sehr kleines Paket Umriss SC70-6.
Sehr niedrige Anforderungen an den Gatterantrieb ermöglichen den direkten Betrieb in 3-V-Stromkreisen (VGS(th)< 1,5 V).
Gate-Source Zener für ESD-Robustheit (>6kV Human Body Modell).
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.