- RS Best.-Nr.:
- 186-8945
- Herst. Teile-Nr.:
- MSD42WT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Bipolartransistor NPN mit hoher Spannung wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Dieses Gerät ist im SC-70/SOT-323-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Erhältlich in Band und Rolle mit 8 mm, 7 Zoll/3000 Einheiten
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 150 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V |
Gehäusegröße | SOT-323 (SC-70) |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 450 mW |
Gleichstromverstärkung min. | 40 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 6 V dc |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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