- RS Best.-Nr.:
- 186-9004
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC365P
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser P-Kanal-MOSFET wurde mit einer proprietären PowerTrench®-Technologie hergestellt, um niedrige rDS(on) und optimierte BVdss-Funktionen zu bieten, um in den Anwendungen einen überlegenen Leistungsvorteil zu bieten.
Max. RDS(ein) = 55 mΩ bei VGS = 10 V, ID = -4,2 A
Max. RDS(ein) = 80 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -3,2 A
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Max. RDS(ein) = 80 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -3,2 A
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TSOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 1,6 W |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 3 x 1.7 x 1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
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