Nexperia Oberfläche Bipolarer Transistor PnP -45 V / -500 mA, DFN1110D-3 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 240-1774
- Herst. Teile-Nr.:
- BC807-40QB-QZ
- Marke:
- Nexperia
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| 500 - 950 | 0,052 € | 2,60 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-1774
- Herst. Teile-Nr.:
- BC807-40QB-QZ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Bipolarer Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | -500mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -45V | |
| Gehäusegröße | DFN1110D-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | PNP | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | -50V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 250 | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | -5V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BC807QB-Q | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Bipolarer Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc -500mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -45V | ||
Gehäusegröße DFN1110D-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration PNP | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO -50V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 250 | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO -5V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BC807QB-Q | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Nexperia PNP-Universaltransistor befindet sich in einem extrem kleinen DFN1110D-3 (SOT8015) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit seitlich benetzbaren Flanken.
Hohe Verlustleistungsfähigkeit
Starkstrom
Auswahl aus drei Stromverstärkungen
Geeignet für automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen
Kleinere Abmessungen im Vergleich zu herkömmlichen SMD-Gehäusen mit Anschlussdrähten
Niedrige Gehäusehöhe von 0,5 mm
AEC-Q101-qualifiziert
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