Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 2,25 V / 35 mA, TSLP-3-9
- RS Best.-Nr.:
- 258-0650
- Herst. Teile-Nr.:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,432 € | 4,32 € |
| 100 - 240 | 0,409 € | 4,09 € |
| 250 - 490 | 0,393 € | 3,93 € |
| 500 - 990 | 0,376 € | 3,76 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0650
- Herst. Teile-Nr.:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon SiGe C NPN HF-Bipolartransistor ist ein diskreter HF-Heterojunction-Bipolartransistor mit integriertem ESD-Schutz, der für 5-GHz-Bandanwendungen geeignet ist.
Ideal für Niederspannungsanwendungen, z. B. VCC = 1,2 V und 1,8 V
Flaches, kleines, formschlüssiges, bleifreies Gehäuse
Flaches, kleines, formschlüssiges, bleifreies Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 35 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 2,25 V |
| Gehäusegröße | TSLP-3-9 |
| Montage-Typ | SMD |
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