Infineon BFP640H6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 4,1 V / 50 mA, SOT-343

Der Infineon Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C) NPN-Heterojunction-Breitband-Bipolar-HF-Transistor (HBT) in einem Zweifach-Emitter-Standardgehäuse aus Kunststoff mit sichtbaren Leitungen. Das Gerät ist mit internen Schutzschaltungen ausgestattet, die die Robustheit gegen ESD und eine hohe HF-Eingangsleistung erheblich erhöhen. Das Gerät kombiniert Robustheit mit einer sehr hohen HF-Verstärkung und der niedrigsten Rauschrate bei niedrigem Betriebsstrom für den Einsatz in einer Vielzahl von drahtlosen Anwendungen. Der BFP640ESD ist besonders gut geeignet für tragbare batteriebetriebene Anwendungen, bei denen ein geringerer Stromverbrauch eine zentrale Anforderung ist. Die Bauweise des Geräts unterstützt Kollektorspannungen bis zu 4,1 V.

Robuster, leistungsstarker, rauscharmer Verstärker basierend auf der zuverlässigen Technologie von Infineon
2 kV ESD-Robustheit (HBM) durch integrierte Schutzschaltungen
Hohe maximale HF-Eingangsleistung von 21 dBm