Infineon Oberfläche HF-Transistor NPN 13 V / 45 mA, SOT-343 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 259-1448
- Herst. Teile-Nr.:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1448
- Herst. Teile-Nr.:
- BFP740FESDH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | HF-Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 45mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 13V | |
| Gehäusegröße | SOT-343 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | NPN | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 13V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 160 | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 1.2V | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160mW | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 44GHz | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BFP | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Länge | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ HF-Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 45mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 13V | ||
Gehäusegröße SOT-343 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration NPN | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 13V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 160 | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 1.2V | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160mW | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 44GHz | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BFP | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.55mm | ||
Länge 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C) NPN-Heterojunction-Breitband-Bipolar-HF-Transistor (HBT). Es handelt sich um drahtlose Kommunikation: WLAN, WiMax und UWB.
Rauscharm NFmin 0,85 dB bei 5,5 GHz, 3 V, 6 mA
Hohe Verstärkung Gms 19,5 dB bei 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
OIP3 24,5 dBm bei 5,5 GHz, 3 V, 15 mA
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