STMicroelectronics Durchsteckmontage Transistor NPN 80 V / 3 A, SOT-32 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 314-1823
- Herst. Teile-Nr.:
- BD139
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 3A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 80V | |
| Gehäusegröße | SOT-32 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Polarität des Transistors | NPN | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 25 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 27.05mm | |
| Höhe | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 3A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 80V | ||
Gehäusegröße SOT-32 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Polarität des Transistors NPN | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 25 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 27.05mm | ||
Höhe 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Universal-NPN-Transistoren, STMicroelectronics
Bipolare Transistoren, STMicroelectronics
Eine breite Palette an bipolaren NPN- und PNP-Transistoren von STMicroelectronics, einschließlich Universal-, Darlington-, Leistungs- und Hochspannungs-Bauelementen in SMD- und durchkontaktierten Gehäusen.
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