Nexperia Oberfläche Transistor PnP -65 V / -100 mA, UMT 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 380-4934
- Herst. Teile-Nr.:
- BC856BW,115
- Marke:
- Nexperia
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | -100mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -65V | |
| Gehäusegröße | UMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 80V | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 5V | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 220 | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | BC856 | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc -100mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -65V | ||
Gehäusegröße UMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 80V | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 5V | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 220 | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35 mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie BC856 | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Kleine, platzsparende Lösungen. In unserem Portfolio von über 300 starken Kleinsignal-Bipolargeräten finden Sie viele einzelne PNP-Transistoren. Ideal für Ihre Schalt- und Verstärkungsanwendungen mit Gehäuseoptionen wie z. B. unserem extrem kleinen, kabellosen Gehäuse SOT883, welches eine ausgezeichnete Wahl für kompakte Bauweisen ist.
Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProdukteAnwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen
PNP-Transistor in einem SOT323-Kunststoffgehäuse. NPN ergänzt: BC846W, BC847W und BC848W.
Niedriger Stromverbrauch (max. 100 mA)Niedrige Spannung (max. 65 V).ZielanwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen.
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