Nexperia BC847BPN,115 SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 100 mA 100 MHz, UMT 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 484-5532P
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPN,115
- Marke:
- Nexperia
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- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
NPN/PNP-Doppeltransistoren, Nexperia
Erfüllt die Ansprüche an das Design für die Zukunft. Eine umfangreiche Auswahl an Doppeltransistoren stellt sicher, dass Sie das beste Gerät für Ihr Design auswählen. Für die zunehmend effizienten Systeme von heute – in denen sowohl Leistung als auch Platz knapp werden – bieten wir SMD-Gehäuse wie unser extrem kleines SOT883-Gehäuse ohne Kabel.
Extrem kleines, kabelloses 1006-Gehäuse SOT883 (SC-101)Breite Auswahl an SMD- und bleihaltigen GehäuseoptionenVielzahl an doppelten und einfachen FunktionenMehr als 300 verschiedene ProdukteAnwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen
NPN/PNP-Universal-Transistorpaar in einem sehr kleinen SOT363-(SC-88)-SMD-Kunststoffgehäuse.
Niedrige KollektorkapazitätNiedrige Kollektor-Emitter-SättigungsspannungEng angepasste StromverstärkungReduziert die Anzahl der Komponenten und des PlatinenplatzesKeine gegenseitige Störung zwischen den TransistorenZielanwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen
Bipolare Transistoren, Nexperia
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN/PNP |
| DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 45 V |
| Gehäusegröße | UMT |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 200 mW |
| Gleichstromverstärkung min. | 200 |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 50 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz |
| Pinanzahl | 6 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Abmessungen | 1 x 2.2 x 1.35mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 484-5532P
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPN,115
- Marke:
- Nexperia
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