Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Nexperia PBSS4130T,215 SMD, NPN Transistor 30 V / 1 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 518-1479
Herst. Teile-Nr.:: PBSS4130T,215
Marke:: Nexperia

Nexperia PBSS4130T,215 SMD, NPN Transistor 30 V / 1 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
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RS Best.-Nr.:: 518-1479
Herst. Teile-Nr.:: PBSS4130T,215
Marke:: Nexperia

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung

Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.

Bipolare Transistoren, Nexperia

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Gehäusegröße	SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	480 mW
Gleichstromverstärkung min.	350
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	40 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Arbeitsfrequenz max.	100 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Abmessungen	1 x 3 x 1.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C