Nexperia PBSS4350T,215 SMD, NPN Transistor 50 V / 2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 518-1671P
- Herst. Teile-Nr.:
- PBSS4350T,215
- Marke:
- Nexperia
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- 518-1671P
- Herst. Teile-Nr.:
- PBSS4350T,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| DC Kollektorstrom max. | 2 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Verlustleistung max. | 1,2 W | |
| Gleichstromverstärkung min. | 300 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 50 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V | |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Abmessungen | 1 x 3 x 1.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Transistor-Typ NPN | ||
DC Kollektorstrom max. 2 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 50 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Verlustleistung max. 1,2 W | ||
Gleichstromverstärkung min. 300 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 50 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V | ||
Arbeitsfrequenz max. 100 MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Abmessungen 1 x 3 x 1.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung
Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Bipolare Transistoren, Nexperia
