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Nexperia PBSS5320T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 518-1924
Herst. Teile-Nr.:: PBSS5320T,215
Marke:: Nexperia

Nexperia PBSS5320T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

2520 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

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RS Best.-Nr.:: 518-1924
Herst. Teile-Nr.:: PBSS5320T,215
Marke:: Nexperia

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung

Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.

Bipolare Transistoren, Nexperia

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
DC Kollektorstrom max.	–2 A
Kollektor-Emitter-Spannung	–20 V
Gehäusegröße	SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	1,2 W
Gleichstromverstärkung min.	220
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	20 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Arbeitsfrequenz max.	100 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	1 x 3 x 1.4mm