onsemi MJE3055TG THT, NPN Transistor 60 V / 10 A 2 MHz, TO-220AB 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 544-9371
- Herst. Teile-Nr.:
- MJE3055TG
- Marke:
- onsemi
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- MJE3055TG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| DC Kollektorstrom max. | 10 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Verlustleistung max. | 75 W | |
| Gleichstromverstärkung min. | 20 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 70 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V | |
| Arbeitsfrequenz max. | 2 MHz | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Abmessungen | 9.28 x 10.28 x 4.82mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ NPN | ||
DC Kollektorstrom max. 10 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Verlustleistung max. 75 W | ||
Gleichstromverstärkung min. 20 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 70 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V | ||
Arbeitsfrequenz max. 2 MHz | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Abmessungen 9.28 x 10.28 x 4.82mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen.