onsemi BUL45D2G THT, NPN High Voltage Transistor 400 V / 5 A 12 MHz, TO-220AB 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 544-9466
- Herst. Teile-Nr.:
- BUL45D2G
- Marke:
- ON Semiconductor
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Alternative
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- 544-9466
- Herst. Teile-Nr.:
- BUL45D2G
- Marke:
- ON Semiconductor
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der BUL45D2 ist ein Art High Speed High Gain Bipolartransistor (H2BIP). Hohe dynamische Eigenschaften und minimale Spreizung von Charge zu Charge 150 ns Lagerzeit) machen es ideal für leichte Ballastanwendungen geeignet. Daher ist es nicht erforderlich, ein hFE-Fenster zu garantieren.
Geringe Anforderungen an das Basislaufwerk
Hoher Spitzenwert für DC-Stromverstärkung (55 typisch) bei IC = 100 mA
Extrem niedrige Speicherzeit Min/Max Garantien Durch die H2BIP Struktur, die den Spread minimiert
Integrierte Freidrehdiode für Collector-Emitter
Vollständig charakterisiertes und garantiertes dynamisches VCE(sat)
Prozess "6 Sigma" für gute und reproduzierbare Parameterstreuungen
Bleifreies Gehäuse erhältlich
Hoher Spitzenwert für DC-Stromverstärkung (55 typisch) bei IC = 100 mA
Extrem niedrige Speicherzeit Min/Max Garantien Durch die H2BIP Struktur, die den Spread minimiert
Integrierte Freidrehdiode für Collector-Emitter
Vollständig charakterisiertes und garantiertes dynamisches VCE(sat)
Prozess "6 Sigma" für gute und reproduzierbare Parameterstreuungen
Bleifreies Gehäuse erhältlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| DC Kollektorstrom max. | 5 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 400 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 75 W |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 700 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 9 V |
| Arbeitsfrequenz max. | 12 MHz |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |
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