onsemi Oberfläche Transistor NPN + PNP 45 V / 100 mA, US 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 690-0094
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPDW1T1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 690-0094
- Herst. Teile-Nr.:
- BC847BPDW1T1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | 100mA | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 45V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 50V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 6V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 200 | |
| Polarität des Transistors | NPN + PNP | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380mW | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 100MHz | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | BC847BPDW1 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc 100mA | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 45V | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 50V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 6V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 200 | ||
Polarität des Transistors NPN + PNP | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380mW | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 100MHz | ||
Pinanzahl 6 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie BC847BPDW1 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifach-NPN/PNP-Transistoren, ON Semiconductor
Zwei Transistorgehäuse mit jeweils einer NPN- und PNP-Einheit
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