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Diskrete Halbleiter
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Bipolare Transistoren
onsemi MJE182G THT, NPN Transistor 80 V / 3 A 10 MHz, TO-225AA 3-Pin
RS Best.-Nr.:
774-3565
Herst. Teile-Nr.:
MJE182G
Marke:
onsemi
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RS Best.-Nr.:
774-3565
Herst. Teile-Nr.:
MJE182G
Marke:
onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Universal-NPN-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Eigenschaft
Wert
Transistor-Typ
NPN
DC Kollektorstrom max.
3 A
Kollektor-Emitter-Spannung
80 V
Gehäusegröße
TO-225AA
Montage-Typ
THT
Verlustleistung max.
12,5 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.
100 V
Basis-Emitter Spannung max.
7 V
Arbeitsfrequenz max.
10 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
7.8 x 3 x 11.1mm