onsemi Oberfläche Transistor PnP -25 V / -5 A, TO-252 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 790-5334
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD210T4G
- Marke:
- onsemi
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- MJD210T4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kollektorstrom DC max. Idc | -5A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | -25V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis Spannung max. VCBO | 40V dc | |
| Maximale Übergangsfrequenz Ft | 10MHz | |
| Emitter-Basisspannung max. VEBO | 8V | |
| DC-Stromverstärkung min. hFE | 10 | |
| Polarität des Transistors | PnP | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 12.5W | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Serie | MJD210 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kollektorstrom DC max. Idc -5A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo -25V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO 40V dc | ||
Maximale Übergangsfrequenz Ft 10MHz | ||
Emitter-Basisspannung max. VEBO 8V | ||
DC-Stromverstärkung min. hFE 10 | ||
Polarität des Transistors PnP | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 12.5W | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Serie MJD210 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für Audioverstärkeranwendungen mit niedriger Spannung, niedriger Leistung und hoher Verstärkung konzipiert. Die Modelle MJD200 (NPN) und MJD210 (PNP) sind ergänzende Geräte.
Collector-Emitter-Haltespannung - VCEO(sus) = 25 Vdc (min.) @ IC = 10 mADC
Hohe DC-Stromverstärkung - hFE = 70 (min.) @ IC = 500 mADC = 45 (min.) @ IC = 2 Adc = 10 (min.) @ IC = 5 Adc
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 0,30 Vdc (max.) @ IC = 500 mADC = 0,75 Vdc (max.) @ IC = 2,0 Adc
Hohe Stromverstärkung - Bandbreiten-Produkt - fT = 65 MHz (min.) bei IC = 100 mADC
Ringkonstruktion für geringe Leckage - ICBO = 100 NADC bei VCB-Nennwert
Diese Geräte sind pbfrei
MJD200 ist das ergänzende NPN-Gerät
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