onsemi MMBT3906TT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-416 (SC-75) 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 791-6123
Herst. Teile-Nr.:: MMBT3906TT1G
Marke:: onsemi

onsemi MMBT3906TT1G SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA 100 MHz, SOT-416 (SC-75) 3-Pin

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RS Best.-Nr.:: 791-6123
Herst. Teile-Nr.:: MMBT3906TT1G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 791-6123
Herst. Teile-Nr.:: MMBT3906TT1G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
DC Kollektorstrom max.	–200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	–40 V
Gehäusegröße	SOT-416 (SC-75)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	300 mW
Gleichstromverstärkung min.	100
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	-40 V
Basis-Emitter Spannung max.	-5 V
Arbeitsfrequenz max.	100 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Abmessungen	1.65 x 0.9 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
DC Kollektorstrom max.	–200 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	–40 V
Gehäusegröße	SOT-416 (SC-75)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	300 mW
Gleichstromverstärkung min.	100
Transistor-Konfiguration	Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.	-40 V
Basis-Emitter Spannung max.	-5 V
Arbeitsfrequenz max.	100 MHz
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Abmessungen	1.65 x 0.9 x 0.8mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C

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Normen

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