Nexperia PBHV9215Z,115 SMD, PNP Transistor 150 V / 2 A 100 MHz, SOT-223 3 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 816-0661
- Herst. Teile-Nr.:
- PBHV9215Z,115
- Marke:
- Nexperia
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- PBHV9215Z,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Transistor-Typ | PNP | |
| DC Kollektorstrom max. | 2 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 150 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Verlustleistung max. | 1,45 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | -200 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | -6 V | |
| Arbeitsfrequenz max. | 100 MHz | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Transistor-Typ PNP | ||
DC Kollektorstrom max. 2 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 150 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Verlustleistung max. 1,45 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. -200 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. -6 V | ||
Arbeitsfrequenz max. 100 MHz | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 6.7 x 3.7 x 1.8mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung
Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.
Bipolare Transistoren, Nexperia
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