onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 178-7612
Herst. Teile-Nr.:: MMBTA13LT1G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 178-7612
Herst. Teile-Nr.:: MMBTA13LT1G
Marke:: onsemi

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	300 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	30 V
Basis-Emitter Spannung max.	10 V
Gehäusegröße	SOT-23 (TO-236
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	20000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	100nA
Abmessungen	3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.01mm
Breite	1.4mm
Verlustleistung max.	300 mW

onsemi NPN Darlington-Transistor 30 V 300 mA HFE:20000, SOT-23 (TO-236 3-Pin Einfach

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