onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 8 A HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 688-1509
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD122G
- Marke:
- onsemi
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| 2 - 8 | 0,76 € | 1,52 € |
| 10 - 98 | 0,63 € | 1,26 € |
| 100 - 498 | 0,46 € | 0,92 € |
| 500 - 998 | 0,41 € | 0,82 € |
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- 688-1509
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD122G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 100 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 100 |
| Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4,5 V |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 100 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.01mA |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.73mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| Breite | 6.22mm |
| Höhe | 2.38mm |