onsemi NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter

RS Best.-Nr.:: 773-7743
Herst. Teile-Nr.:: MC1413BDR2G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter

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RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor

Normen

Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	50 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	16
Transistor-Konfiguration	Single & Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip	7
Gleichstromverstärkung min.	1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,6 V
Breite	4mm
Höhe	1.5mm
Länge	10mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Abmessungen	10 x 4 x 1.5mm
Betriebstemperatur min.	-40 °C

RS Best.-Nr.:: 773-7743
Herst. Teile-Nr.:: MC1413BDR2G
Marke:: onsemi

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