onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V 8 A HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 774-3653
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP120G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- TIP120G
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor TIP120G ist ein bipolarer NPN Darlington-Leistungstransistor mit mittlerer Leistung. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt.
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• NPN-Polarität
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• NPN-Polarität
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.5mA |
| Länge | 15.75mm |
| Abmessungen | 15.75 x 10.28 x 4.82mm |
| Höhe | 4.82mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Breite | 10.28mm |
| Verlustleistung max. | 65 W |
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