onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 800-9702
Herst. Teile-Nr.:: BSP52T3G
Marke:: onsemi

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

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RS Best.-Nr.:: 800-9702
Herst. Teile-Nr.:: BSP52T3G
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
Dauer-Kollektorstrom max.	1 A
Kollektor-Emitter-Spannung	80 V
Basis-Emitter Spannung max.	5 V
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3 + Tab
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	90 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	1,3 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.7mm
Abmessungen	6.7 x 3.7 x 1.75mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C
Höhe	1.75mm
Länge	6.7mm
Verlustleistung max.	125 W

onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 1 A HFE:2000, SOT-223 3 + Tab-Pin Einfach

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