Nexperia PNP Darlington-Transistor 60 V –500 mA HFE:2000, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Einfach

RS Best.-Nr.:: 865-2090
Herst. Teile-Nr.:: BCV46,215
Marke:: Nexperia

Nexperia PNP Darlington-Transistor 60 V –500 mA HFE:2000, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Einfach

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Produktdetails

Darlington-Transistoren, Nexperia

Bipolare Transistoren, Nexperia

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Dauer-Kollektorstrom max.	–500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	60 V
Basis-Emitter Spannung max.	–10 V
Gehäusegröße	SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Transistor-Konfiguration	Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gleichstromverstärkung min.	2000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.	–1,5 V
Kollektor-Basis-Spannung max.	–80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.	–1 V
Kollektor-Abschaltstrom max.	-100nA
Höhe	1mm
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–65 °C
Verlustleistung max.	250 mW
Abmessungen	3 x 1.4 x 1mm
Breite	1.4mm

RS Best.-Nr.:: 865-2090
Herst. Teile-Nr.:: BCV46,215
Marke:: Nexperia

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