NVE Digital-Isolator, 4-Kanal 110 Mbps, 2.5 kVrms 5.5 V, SOIC 7 V 20 μA 8
- RS Best.-Nr.:
- 168-8560
- Herst. Teile-Nr.:
- IL715E
- Marke:
- NVE
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- Herst. Teile-Nr.:
- IL715E
- Marke:
- NVE
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | NVE | |
| Datenrate max. | 110Mbit/s | |
| Produkt Typ | Digital-Isolator | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Durchlassspannung max. | 7V | |
| Datentransferrate | 110Mbit/s | |
| Eingangsstrom max. | 20μA | |
| Ausbreitungs-Verzögerungszeit | 18ns | |
| Isolationsspannung | 2.5kVrms | |
| Anstiegszeit | 4ns | |
| Anzahl der Pins | 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Länge | 10.5mm | |
| Serie | IL | |
| Normen/Zulassungen | UL, IEC | |
| Tiefe | 10.64mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Verpackungsart | SOIC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke NVE | ||
Datenrate max. 110Mbit/s | ||
Produkt Typ Digital-Isolator | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Durchlassspannung max. 7V | ||
Datentransferrate 110Mbit/s | ||
Eingangsstrom max. 20μA | ||
Ausbreitungs-Verzögerungszeit 18ns | ||
Isolationsspannung 2.5kVrms | ||
Anstiegszeit 4ns | ||
Anzahl der Pins 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Länge 10.5mm | ||
Serie IL | ||
Normen/Zulassungen UL, IEC | ||
Tiefe 10.64mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verpackungsart SOIC | ||
- Ursprungsland:
- US
Die vierkanaligen Hochgeschwindigkeits-Digitalisolatoren IL715 von NVE (NVE) sind CMOS-Geräte, die mit der patentierten IsoLoop spintonic Giant Magneto Resistive (GMR)-Technologie von NVE hergestellt werden. Eine einzigartige Keramik/Polymer-Verbundbarriere bietet eine ausgezeichnete Isolierung und praktisch unbegrenzte Barrierelebensdauer. Die minimale transiente Störfestigkeit von 100 kV/μs ist unübertroffen. Die hohe Kanaldichte macht diese Geräte ideal zum Isolieren von ADCs und DACs, parallelen Bussen und Peripherieschnittstellen.
Hohe Geschwindigkeit: 110 Mbit/s.
Hohe Temperatur: -40 °C bis +125 °C ("T"- und "V"-Serie)
Sehr hohe Isolierung: Verstärkte Isolierung mit 6 kV eff (V-Serie)
2,7 bis 5,5 Volt Versorgungsspannungsbereich
100 kV/μs Gleichtakttransientenfestigkeit
Kein Träger oder Taktgeber für geringe EMI-Emissionen und Empfindlichkeit
100 PS Impulsjitter
2 ns Kanal-zu-Kanal-Schräglauf
10 ns typische Ausbreitungsverzögerung
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