FOD8314T - Kriechstrecke und Sicherheitsabstand von 8 mm und Isolationsabstand von 0,4 mm, um eine zuverlässige Hochspannungsisolierung zu erreichen 1,0 A Ausgangsstrom-Ansteuerungsfähigkeit für mittlere Leistung IGBT/MOSFET - Der Einsatz von P-Kanal-MOSFETs an der Ausgangsstufe ermöglicht ein Schwenken der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene 20 kV/μs minimale Gleichtaktunterdrückung Großer Versorgungsspannungsbereich: 15 V bis 30 V. Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich - Maximale Ausbreitungsverzögerung von 500 ns - 300 ns maximale Pulsbreitenverzerrung Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C. Wechsel- und bürstenlose Gleichstrom-Motorantriebe Industrieller Wechselrichter Unterbrechungsfreie Stromversorgung Induktionsheizung Isolierter IGBT/Leistungs-MOSFET-Gate-Antrieb