Entwicklungstool Kommunikation und Drahtlos, 27MHz für Luft- und Raumfahrt, Rundfunk, Industrie, Medizin

Der äußerst robuste n-Kanal-Lateral-MOSFET-Transistor im Enhancement-Mode ist für den Einsatz in industriellen, medizinischen, Rundfunk-, Luft- und Raumfahrt- sowie Mobilfunkanwendungen mit hohem VSWR konzipiert. Mit seinem unübertroffenen Eingangs- und Ausgangsdesign unterstützt dieser Transistor einen Frequenzbereich von 1,8 bis 400 MHz und ist damit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen.

Konzipiert für industrielle, medizinische, Rundfunk-, Luft- und Raumfahrt- sowie Mobilfunkanwendungen mit hohem VSWR
Unübertroffenes Eingangs- und Ausgangsdesign unterstützt einen breiten Frequenzbereich von 1,8 bis 400 MHz
Breitband-HF-Leistungsfähigkeit für hervorragende Leistung
Hohe Durchbruchspannung für verbesserte Zuverlässigkeit
Integrierter ESD-Schutz für verbesserten Klasse-C-Betrieb
Geeignet für den Einsatz in Anwendungen mit hohem VSWR bei ausgezeichneter Haltbarkeit