Transcend, M.2 512 Gbit Innen- SSD Industriequalität, 3D, SSD, 256-Bit-AES-Verschlüsselung
- RS Best.-Nr.:
- 682-783
- Herst. Teile-Nr.:
- TS512GMTE672A-VS1
- Marke:
- Transcend
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- Transcend
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Transcend | |
| Speicher Größe | 512Gbit | |
| Produkt Typ | SSD | |
| Subtyp | SSD | |
| Interne/Externe Bauform | Innen- | |
| Industriequalität | Ja | |
| Formfaktor / Baugröße | M.2 | |
| NAND-Typ | 3D | |
| Verschlüsselungsstufe | 256-Bit-AES-Verschlüsselung | |
| Schnittstellentyp | NVMe PCIe Gen 3 x4 | |
| Betriebstemperatur min. | -20°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 75°C | |
| Breite | 22mm | |
| Höhe | 2.23mm | |
| Länge | 80mm | |
| Normen/Zulassungen | UKCA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Transcend | ||
Speicher Größe 512Gbit | ||
Produkt Typ SSD | ||
Subtyp SSD | ||
Interne/Externe Bauform Innen- | ||
Industriequalität Ja | ||
Formfaktor / Baugröße M.2 | ||
NAND-Typ 3D | ||
Verschlüsselungsstufe 256-Bit-AES-Verschlüsselung | ||
Schnittstellentyp NVMe PCIe Gen 3 x4 | ||
Betriebstemperatur min. -20°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 75°C | ||
Breite 22mm | ||
Höhe 2.23mm | ||
Länge 80mm | ||
Normen/Zulassungen UKCA | ||
- Ursprungsland:
- TW
SSD von Transcend, 512 GB Speichergröße, M.2 Formfaktor - TS512GMTE672A-VS1
Diese SSD ist ein kompaktes internes Speichergerät, das für leistungsstarke Datenverarbeitung in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Es wird über eine PCIe Gen3 x4 NVMe-Schnittstelle angeschlossen, um eine schnelle Datenübertragung für Automatisierungs-, Elektronik- und mechanische Steuerungssysteme zu ermöglichen. Das Laufwerk ist mit 3D-NAND-Speicher ausgestattet und verfügt über eine 256-Bit-AES-Verschlüsselung für eine sichere Speicherung am Gerät und arbeitet zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich.
Merkmale und Vorteile:
• NVMe PCIe Gen3 x4-Schnittstelle für niedrigen Latenz-Durchsatz
• 512 GB Kapazität für umfangreiche lokale Datenspeicherung
• 256-Bit-AES-Verschlüsselung zum Schutz der gespeicherten Daten
• Industrietaugliches 3D-NAND zur Verbesserung der Ausdauer und Langlebigkeit
• Funktioniert von -20 °C bis 75 °C für den Einsatz bei extremen Temperaturen
• 512 GB Kapazität für umfangreiche lokale Datenspeicherung
• 256-Bit-AES-Verschlüsselung zum Schutz der gespeicherten Daten
• Industrietaugliches 3D-NAND zur Verbesserung der Ausdauer und Langlebigkeit
• Funktioniert von -20 °C bis 75 °C für den Einsatz bei extremen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Steuerungen, die Hochfrequenz-Telemetrie protokollieren
• Ideal für eingebettete Systeme in der Fertigungsautomatisierung
• Wird für die Speicherung lokaler Bilder in Inspektionsgeräten verwendet
• Kann für die Datenpufferung in SCADA-Knoten verwendet werden
• Wird mit robusten PCs in elektrischen und mechanischen Prüfregalen verwendet
• Ideal für eingebettete Systeme in der Fertigungsautomatisierung
• Wird für die Speicherung lokaler Bilder in Inspektionsgeräten verwendet
• Kann für die Datenpufferung in SCADA-Knoten verwendet werden
• Wird mit robusten PCs in elektrischen und mechanischen Prüfregalen verwendet
Welchen Formfaktor sollte ich für die Kompatibilität mit der Hauptplatine angeben?
Verwenden Sie den Formfaktor M.2 2280 mit einer Länge von 80 mm und einer Breite von 22 mm, um dem Stecker und der Montageposition zu entsprechen.
Wie bewältigt das Gerät die thermische Belastung bei dauerhaften Schreibvorgängen?
Er ist für einen kontinuierlichen Betrieb bei Temperaturen von bis zu 75 °C ausgelegt und ermöglicht dauerhafte Schreibvorgänge in warmen Gehäusen ohne thermische Beschädigung.
Ist das Produkt für verschlüsselungsbeschränkte Umgebungen geeignet?
Das Laufwerk implementiert eine 256-Bit-AES-Verschlüsselung auf Hardware-Ebene, wodurch eine verschlüsselte Speicherung in Anwendungen möglich ist, die einen starken Datenschutz erfordern.
Kann es in kompakte interne Baugruppen integriert werden?
Seine M.2-Innenausführung mit 80 mm und 2,23 mm Höhe ermöglicht die Installation in platzbeschränkten Host-Systemen, die eine interne Halbleiterspeicherung erfordern.