- RS Best.-Nr.:
- 195-697
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 203 FA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
180 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
966 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Im Warenkorb
Preis pro Stück
0,72 €
(ohne MwSt.)
0,86 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 + | 0,72 € |
- RS Best.-Nr.:
- 195-697
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 203 FA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm |
Gehäusetyp | T1.3/4 |
Montage Typ | THT |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 800nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Länge | 5.9mm |
Breite | 5.9mm |
Höhe über Panel | 9mm |
Spitzenphotosensibilität | 0.59A/W |
Polarität | Positiv |
- RS Best.-Nr.:
- 195-697
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 203 FA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Verwandte Produkte
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT Kunststoff-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 2-Pin
- ams OSRAM SFH Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin