OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
195-697
Distrelec-Artikelnummer:
175-22-030
Herst. Teile-Nr.:
SFH 203 FA
Marke:
OSRAM Opto Semiconductors
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Marke

OSRAM Opto Semiconductors

Erkennbare Spektren

IR

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

900nm

Gehäusetyp

T1.3/4

Montage Typ

THT

Anzahl der Pins

2

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

800nm

Wellenlänge max.

1100nm

Länge

5.9mm

Breite

5.9mm

Höhe über Panel

9mm

Spitzenphotosensibilität

0.59A/W

Polarität

Positiv

PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)


Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.


IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

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