ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT DIP-Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 247-240
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT DIP-Gehäuse 2-Pin

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(ohne MwSt.)

1,009 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	0,848 €	4,24 €
25 - 95	0,546 €	2,73 €
100 - 245	0,47 €	2,35 €
250 - 495	0,416 €	2,08 €
500 +	0,356 €	1,78 €

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RS Best.-Nr.:: 247-240
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34
Marke:: ams OSRAM

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Produktdetails

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse

Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR, Sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	850nm
Gehäusetyp	DIP
Montage Typ	THT
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	400nm
Wellenlänge max.	1100nm
Länge	4.5mm
Breite	4mm
Höhe über Panel	2.2mm
Spitzenphotosensibilität	0.62A/W
Polarität	Umgekehrt