Teile-Nr.

Hamamatsu Fotodiode Nahinfrarot-Strahlung (NIR) 800nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 482-439
Herst. Teile-Nr.:: S3884
Marke:: Hamamatsu Photonics

Hamamatsu Fotodiode Nahinfrarot-Strahlung (NIR) 800nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: S3884
Marke:: Hamamatsu Photonics

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Hamamatsu Photonics
	Erkennbare Spektren	Nahinfrarot-Strahlung (NIR)
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	800nm
	Gehäusetyp	TO5
	Montage Typ	THT
	Anzahl der Pins	3
	Diodenmaterial	Si

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	Marke Hamamatsu Photonics
	Erkennbare Spektren Nahinfrarot-Strahlung (NIR)
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 800nm
	Gehäusetyp TO5
	Montage Typ THT
	Anzahl der Pins 3
	Diodenmaterial Si

Datasheet - S3884

Ursprungsland:: JP

Die Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) von Hamamatsu Photonics wurde für die Erkennung von Licht im nahen Infrarotbereich entwickelt. Sie bietet einen stabilen Betrieb bei geringer Vorspannung und ist damit ideal für Anwendungen, die eine präzise Lichtmessung erfordern.

Hohe Empfindlichkeit
Kurze Ansprechzeit
Geräuscharm

Hamamatsu Fotodiode Nahinfrarot-Strahlung (NIR) 800nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin

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