Vishay VEMD109 Fotodiode Infrarot ±75 ° 920 nm, Oberfläche 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 165-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- VEMD10940F
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 920nm | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 780nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1050nm | |
| Fallzeit typ. | 100ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020 | |
| Breite | 2mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±75 ° | |
| Leerlaufspannung | 350mV | |
| Regelanstiegszeit | 100ns | |
| Serie | VEMD109 | |
| Durchschlagspannung | 32V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kurzschlussstrom | 3μA | |
| Polarität | Plus | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 920nm | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 780nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1050nm | ||
Fallzeit typ. 100ns | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020 | ||
Breite 2mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±75 ° | ||
Leerlaufspannung 350mV | ||
Regelanstiegszeit 100ns | ||
Serie VEMD109 | ||
Durchschlagspannung 32V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kurzschlussstrom 3μA | ||
Polarität Plus | ||
- Ursprungsland:
- CN
PIN-Fotodioden Serie VEMD10940
Die VEMD10940F von Vishay Semiconductor ist eine Silizium-PIN-Fotodiode. Sie kommt in einem SMD-Miniaturgehäuse mit seitlicher Optik (SL). Die gewölbte Streuscheibe hat einen Tageslichtfilter. Zu den geeigneten Anwendungen der VEMD10940F gehören: Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren, IR-Fernbedienungen, IR-Datenübertragung, Lichtschranken-Detektoren und IR-Touch-Screen-Panels.
Merkmale der Fotodiode VEMD10940F:
Oberflächenmontage
Gehäuse mit seitlicher Optik
Abmessungen: 3 x 2 x 1 mm
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 75°
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
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