onsemi Fotodiode Infrarot 65 ° 940 nm, Oberfläche PLCC 2L-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 166-3058
- Herst. Teile-Nr.:
- QSB34CGR
- Marke:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 940nm | |
| Gehäusegröße | PLCC 2L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Regelanstiegszeit | 0.6ns | |
| Dunkelstrom | 0.5nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 940nm | ||
Gehäusegröße PLCC 2L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
Regelanstiegszeit 0.6ns | ||
Dunkelstrom 0.5nA | ||
PIN-Fotodioden QSB34
Die Serie QSB34 von Fairchild Semiconductor umfasst eine Familie von PIN-Fotodioden aus Silizium. Sie befinden sich in SMD-Gehäusen für Ober- oder Unterseite der Platine. Die Fotodioden QSB34 sind zum Teil mit einem Tageslichtfilter ausgestattet, der das sichtbare Umgebungslicht blockiert.
Merkmale der QSB34:
QSB34GR / QSB34ZR / QSB34CGR / QSB34CZR
Schnelle PIN-Fotodioden
Empfangswinkel: 120°
Abmessungen der empfindlichen Fläche: 2,55 x 2,55 mm
Chip-Abmessungen: 3 x 3 mm
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
IR-Fotodioden, Fairchild Semiconductor
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