OSI Optoelectronics Pin Fotodiode Sichtbares Licht 65 ° 950 nm, Durchsteckmontage Keramikgehäuse-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 176-9787
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-RD100
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 950nm | |
| Gehäusegröße | Keramikgehäuse | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 16.51mm | |
| Höhe | 2.032mm | |
| Breite | 14.986 mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Regelanstiegszeit | 40ns | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | Pin | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Dunkelstrom | 0.5nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 950nm | ||
Gehäusegröße Keramikgehäuse | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 16.51mm | ||
Höhe 2.032mm | ||
Breite 14.986 mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Regelanstiegszeit 40ns | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie Pin | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Dunkelstrom 0.5nA | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- US
Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können vollständig entladen werden, um eine möglichst geringe Sperrschichtkapazität für schnelle Reaktionszeiten zu erreichen. Sie können mit einer höheren Sperrspannung bis zum maximal zulässigen Wert betrieben werden, um noch schnellere Reaktionszeiten in Nanosekunden zu erreichen. Die hohe umgekehrte Vorspannung an dieser Stelle erhöht das effektive elektrische Feld über dem Übergang und erhöht somit die Ladungsaufnahmezeit im entladenen Bereich. Beachten Sie, dass dies ohne Abstriche bei der hohen Empfindlichkeit und der aktiven Fläche erreicht wird. Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können auch für Anwendungen, die hochenergetische Röntgenstrahlen, Röntgenstrahlen sowie hochenergetische Teilchen wie Elektronen, Alphastrahlen und schwere Ionen messen, vollständig entladen werden.
ProduktanwendungenLaser-AnwendungenSteuerungssystemeElektronen-DetektionHochenergiephysikMedizintechnische MesstechnikProduktmerkmaleGroße aktive FlächeVollständig entladbarFür NotfälleExtrem niedriger Dunkelstrom
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