OSI Optoelectronics PIN Fotodiode Sichtbares Licht 900nm Si, THT TO8-Gehäuse 3-Pin

Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können vollständig entladen werden, um eine möglichst geringe Sperrschichtkapazität für schnelle Reaktionszeiten zu erreichen. Sie können mit einer höheren Sperrspannung bis zum maximal zulässigen Wert betrieben werden, um noch schnellere Reaktionszeiten in Nanosekunden zu erreichen. Die hohe umgekehrte Vorspannung an dieser Stelle erhöht das effektive elektrische Feld über dem Übergang und erhöht somit die Ladungsaufnahmezeit im entladenen Bereich. Beachten Sie, dass dies ohne Abstriche bei der hohen Empfindlichkeit und der aktiven Fläche erreicht wird. Diese Hochgeschwindigkeitsdetektoren mit großem aktivem Bereich können auch für Anwendungen, die hochenergetische Röntgenstrahlen, Röntgenstrahlen sowie hochenergetische Teilchen wie Elektronen, Alphastrahlen und schwere Ionen messen, vollständig entladen werden.

ProduktanwendungenLaser-AnwendungenSteuerungssystemeElektronen-DetektionHochenergiephysikMedizintechnische MesstechnikProduktmerkmaleGroße aktive FlächeVollständig entladbarFür NotfälleExtrem niedriger Dunkelstrom