ams OSRAM Fotodiode Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht 80 ° 850 nm, Durchsteckmontage TO-18-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 497-5677P
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 65
- Marke:
- ams OSRAM
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- BPX 65
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 12ns | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Länge | 5.6mm | |
| Breite | 5.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 80 ° | |
| Durchmesser | 4.8mm | |
| Durchschlagspannung | 16V | |
| Leerlaufspannung | 330mV | |
| Dunkelstrom | 2nA | |
| Kurzschlussstrom | 10μA | |
| Regelanstiegszeit | 12ns | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Ultraviolett, Infrarot, Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 12ns | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Höhe 5.5mm | ||
Länge 5.6mm | ||
Breite 5.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 80 ° | ||
Durchmesser 4.8mm | ||
Durchschlagspannung 16V | ||
Leerlaufspannung 330mV | ||
Dunkelstrom 2nA | ||
Kurzschlussstrom 10μA | ||
Regelanstiegszeit 12ns | ||
Polarität Vorwärts | ||
Automobilstandard Nein | ||
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse
Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.
Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit