OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8148
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 104 S-Z
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
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- 654-8148
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 104 S-Z
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSRAM Opto Semiconductors | |
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusetyp | DIP | |
| Montage Typ | SMD | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe über Panel | 1.2mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.62A/W | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSRAM Opto Semiconductors | ||
Erkennbare Spektren IR, Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusetyp DIP | ||
Montage Typ SMD | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 4.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Höhe über Panel 1.2mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.62A/W | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Polarität Positiv | ||