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Fotodioden
ams OSRAM Fotodiode IR 950nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
RS Best.-Nr.:
654-8570
Herst. Teile-Nr.:
BP 104 FS-Z
Marke:
ams OSRAM
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
654-8570
Herst. Teile-Nr.:
BP 104 FS-Z
Marke:
ams OSRAM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
BP 104 F/FS PIN Photodiode, DIL, SMT, 60d,filter Data Sheet
Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Datasheet
Nicht-konform
Konformitätserklärung
PIN-Fotodiode, empfindliche Fläche 2,2 x 2,2 mm
Diese PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine empfindliche Fläche von 2,2 x 2,2 mm². Sie sind mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich.
Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Eigenschaft
Wert
Erkennbare Spektren
IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit
950nm
Gehäusetyp
DIP
Montage Typ
SMD
Verstärkerfunktion
Nein
Anzahl der Pins
2
Diodenmaterial
Si
Wellenlänge min.
800nm
Wellenlänge max.
1100nm
Länge
4.5mm
Breite
4mm
Höhe über Panel
1.2mm
Spitzenphotosensibilität
0.7A/W
Polarität
Positiv