ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8665
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 203 PFA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 654-8665
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 203 PFA
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSRAM Opto Semiconductors | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusetyp | T1.3/4 | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 750nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Breite | 5.9mm | |
| Höhe über Panel | 5mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.59A/W | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 75° | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSRAM Opto Semiconductors | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusetyp T1.3/4 | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 750nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 5.9mm | ||
Breite 5.9mm | ||
Höhe über Panel 5mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.59A/W | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 75° | ||
Polarität Positiv | ||
Die Silizium-PIN-Fotodiode OSRAM Opto Semiconductors ist ein 5-mm-LED-Kunststoffgehäuse. Es hat 2 kV ESD gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001. Sie wird in elektronischen Geräten, in der Hochindustrie, in der industriellen Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision Steuerungen) und in Rauchmeldern in weißen Waren eingesetzt.
Es hat eine kurze Schaltzeit
Er hat eine Betriebstemperatur von -40 °C bis 100 °C.