ams OSRAM Fotodiode IR 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 912-8306
Herst. Teile-Nr.:: BPX 65
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode IR 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:: 912-8306
Herst. Teile-Nr.:: BPX 65
Marke:: ams OSRAM

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BPX 65 Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse

Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.

Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	850nm
Gehäusetyp	TO18
Verstärkerfunktion	Nein
Montage Typ	THT
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	350nm
Wellenlänge max.	1100nm
Fallzeit typ.	0.012µs
Breite	5.5mm
Durchmesser	4.8mm
Regelanstiegszeit	0.012µs
Polarität	Plus
Kurzschlussstrom	10µA