ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 912-8510
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 FAS-Z
- Marke:
- ams OSRAM
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- BPW 34 FAS-Z
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Produktdetails
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 880nm |
| Gehäusetyp | DIP |
| Verstärkerfunktion | Nein |
| Montage Typ | SMD |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Diodenmaterial | Si |
| Wellenlänge min. | 730nm |
| Wellenlänge max. | 1100nm |
| Länge | 4.5mm |
| Breite | 4mm |
| Höhe über Panel | 1.2mm |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W |
| Polarität | Umgekehrt |