Vishay THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 2μs, 450nm → 1080nm / 4000μA, 2-Pin 3mm
- RS Best.-Nr.:
- 145-2619
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW85B
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
Fototransistoren Serie BPW85
Die Serie BPW85 von Vishay Semiconductor ist eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie werden standardmäßig mit 3 mm (T-1) Kunststoffgehäuse mit klarer Linse geliefert. Die Fototransistoren BPW85 sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Die Serie BPW85 umfasst BPW85, BPW85A, BPW85B und BPW85C, und sie sind ideal für Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsstromkreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW85:
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 25°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 25°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
| Fallzeit typ. | 2.3µs |
| Regelanstiegszeit | 2µs |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Lichtstrom max. | 4000µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 50° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | 3 mm (T-1) |
| Abmessungen | 3.4 x 3.4 x 4.5mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
| Wellenlänge max. | 1080nm |
| Wellenlänge min. | 450nm |
| Höhe über Panel | 4.5mm |
| Länge | 3.4mm |
| Breite | 3.4mm |
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