Vishay Durchsteckmontage ±25 ° Fototransistor Infrarot, Sichtbares Licht 2 μs / 8000 μA, 2-Pin 3 mm (T-1)
- RS Best.-Nr.:
- 159-6563
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW85
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | Infrarot, Sichtbares Licht | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 2.3μs | |
| Regelanstiegszeit | 2μs | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Wolle | |
| Lichtstrom max. | 8000μA | |
| Dunkelstrom max. | 200nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±25 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | 3 mm (T-1) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Länge | 30.3mm | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Durchmesser | 3mm | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren Infrarot, Sichtbares Licht | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 2.3μs | ||
Regelanstiegszeit 2μs | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Wolle | ||
Lichtstrom max. 8000μA | ||
Dunkelstrom max. 200nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel ±25 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße 3 mm (T-1) | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Länge 30.3mm | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Höhe 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Durchmesser 3mm | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 5V | ||
- Ursprungsland:
- PH
Fototransistoren Serie BPW85
Die Serie BPW85 von Vishay Semiconductor ist eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie werden standardmäßig mit 3 mm (T-1) Kunststoffgehäuse mit klarer Linse geliefert. Die Fototransistoren BPW85 sind empfindlich für sichtbare und Nahe-IR-Strahlung. Die Serie BPW85 umfasst BPW85, BPW85A, BPW85B und BPW85C, und sie sind ideal für Detektoren in elektronischen Steuerungs- und Antriebsstromkreisen.
Merkmale der Fototransistoren BPW85:
3 mm (T-1) Gehäuse
Durchgangsbohrung
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 25°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
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