ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 12μs, 740nm → 1070nm / 4800μA, 2-Pin 3mm

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
ams OSRAM Durchsteckmontage 24 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 4500 μA, 2-Pin 3 mm (T-1)
RS Best.-Nr.
168-5375

Stück (In einem Beutel mit 2000)

0,11 €

(ohne MwSt.)

0,13 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
168-5314
Herst. Teile-Nr.:
SFH 310 FA-2/3
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Erkennbare Spektren

IR

Fallzeit typ.

12µs

Regelanstiegszeit

12µs

Anzahl der Kanäle

1

Lichtstrom max.

4800µA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

50°

Polarität

NPN

Anzahl der Pins

2

Montage Typ

THT

Gehäusetyp

3 mm (T-1)

Abmessungen

3.4 x 3.4 x 4.8mm

Kollektorstrom

50mA

Wellenlänge max.

1070nm

Wellenlänge min.

740nm

Empfindlichkeit im Spektralbereich

740 → 1070 nm

Breite

3.4mm

Höhe über Panel

4.8mm

Länge

3.4mm

T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors


Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.

Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse

Durchgangsbohrung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


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