onsemi Durchsteckmontage Fototransistor Infrarot 10 μs, 4-Pin Benutzerdefinierte 4L
- RS Best.-Nr.:
- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
10,49 €
(ohne MwSt.)
12,48 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 8 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 28 Einheit(en) mit Versand ab 09. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
|---|---|---|
| 1 + | 10,49 € | 1,049 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 184-1403
- Herst. Teile-Nr.:
- QRD1114
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 50μs | |
| Wellenlänge Spitze | 940nm | |
| Regelanstiegszeit | 10μs | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Dunkelstrom max. | 100nA | |
| Anzahl der Pins | 4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | Benutzerdefinierte 4L | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 4.39mm | |
| Höhe | 4.65mm | |
| Kollektorstrom | 1mA | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 30V | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Fallzeit typ. 50μs | ||
Wellenlänge Spitze 940nm | ||
Regelanstiegszeit 10μs | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Dunkelstrom max. 100nA | ||
Anzahl der Pins 4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße Benutzerdefinierte 4L | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 4.39mm | ||
Höhe 4.65mm | ||
Kollektorstrom 1mA | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 30V | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 5V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der reflektierende Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Diode und einem NPN-Silizium-Photo-Darlington, die nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert sind. Die Achsabstrahlung des Emitters und die Achsreaktion des Detektors sind beide senkrecht zur Oberfläche des QRD1113/14. Der Photo-Darlington reagiert nur dann auf die Strahlung, die von der Diode abgegeben wird, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.
Fototransistorausgang
Keine Erkennung der Kontaktfläche
Unfokussiert für die Erkennung von diffusen Oberflächen
Kompaktes Gehäuse
Tageslichtfilter am Sensor
Anwendungen:
Medizinische Elektronik/Geräte
Automation
Prüfung und Messung
Gebäude- und Haussteuerung
Verwandte Links
- onsemi Durchsteckmontage Fototransistor Infrarot 10 μs, 4-Pin Benutzerdefinierte 4L
- onsemi Durchsteckmontage 25 ° Fototransistor Infrarot 8 μs, 2-Pin Side-View
- onsemi Oberfläche 12 ° Fototransistor Infrarot 15 μs, 2-Pin Subminiatur
- onsemi Durchsteckmontage ±12 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 6 mA, 2-Pin T-1 3/4
- Sharp Durchsteckmontage Fototransistor Infrarot 3 μs, 2-Pin Side-View
- Sharp Durchsteckmontage 26 ° Fototransistor Infrarot 80 μs / 25000 μA, 2-Pin Side-View
- Optek OP800WSL Durchsteckmontage Fototransistor Infrarot 7 μs / 3000 μA, 3-Pin TO-18
- Vishay TEFT4300 Durchsteckmontage 60 ° Fototransistor Infrarot 2 μs / 3200 μA, 2-Pin T-1