- RS Best.-Nr.:
- 654-8255
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 103-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
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Produktdetails
Fototransistor-Gehäuse TO-18
Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht |
Fallzeit typ. | 12µs |
Regelanstiegszeit | 12µs |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Lichtstrom max. | 950µA |
Dunkelstrom max. | 50nA |
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 110 ° |
Polarität | NPN |
Anzahl der Pins | 3 |
Montage Typ | THT |
Gehäusetyp | TO18 |
Abmessungen | 5.5 x 5.5 x 3.6mm |
Kollektorstrom | 100mA |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Wellenlänge min. | 450nm |
Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1100 nm |
Breite | 5.5mm |
Länge | 5.5mm |
Höhe über Panel | 3.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 654-8255
- Herst. Teile-Nr.:
- BP 103-3/4
- Marke:
- ams OSRAM